0
Память SST-MRAM является одним из наиболее перспективных кандидатов на замену традиционных DRAM и NAND.
Корпорация Intel готова к началу массового производства магниторезистивной оперативной памяти SST-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Для выпуска данного типа ОЗУ чипмейкер адаптировал 22-нм техпроцесс FinFET и намерен встраивать ячейки MRAM в самые разные устройства, например, в продукты для «интернета вещей», передает интернет-издание akolyfun.ru со ссылкой на overclockers.ua.
Память SST-MRAM является одним из наиболее перспективных кандидатов на замену традиционных DRAM и NAND. Она сочетает энергонезависимость, высокие скорости считывания/записи данных и огромный ресурс. По словам инженера Intel, выступившего с докладом на недавней конференции ISSCC 2019, встроенные ячейки MRAM обладают 10-летним сроком хранения информации при температуре 200°C и выдерживают свыше миллиона циклов переключения.
Ещё одним достоинством встраиваемой MRAM от Intel являются чрезвычайно низкие показатели брака. При использовании 22-нм техпроцесса уровень выхода годных ячеек превышает 99,9%. Как считают зарубежные коллеги, для производства магниторезистивной памяти Intel задействует большое число технологий, используемых для выпуска 14-нм продуктов, а упомянутые 22-нм нормы можно назвать «смягчёнными» 14-нанометровыми.
|